产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 17 A
Rds On-漏源导通电阻: 110 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 16 V
Qg-栅极电荷: 10 nC
最大工作温度: + 175 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 29 ns
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 38 W
上升时间: 74 ns
工厂包装数量: 2000
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: HEXFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 7.1 ns
单位重量: 4 g
