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IRL2910S	文件：344.25 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET POWER MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：344.25 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRL2910S	文件：189.29 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor • FEATURES • With To-263(D2PAK) package • Low input capacitance and gate charge • Low gate input resistance • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation • APPLICATIONS • Switching applications 文件：189.29 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRL2910SPBF	文件：689.54 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：689.54 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRL2910SPBF	文件：690.5 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：690.5 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRL2910SPBF_15	文件：690.5 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：690.5 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRL2910S	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道功率 MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRL2910STRLPBF/IRL2910STRRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
D2PAK/D2PAK
VDS max：
100 V
RDS (on) @10V max：
26 mΩ/26 mΩ
ID @25°C max：
55 A/55 A
QG typ @4.5V：
93.3 nC/93.3 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1 V/1 V
VGS(th) max：
2 V/2 V
VGS(th)：
1.5 V/1.5 V
Technology：
IR MOSFET™/IR MOSFET™

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