INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

VCES = 900V VCE(on) typ. = 2.25V @VGE = 15V, IC = 28A Features • Optimized for use in Welding and Switch-Mode Power Supply applications • Industry benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduct

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IRF

IGBT

DESCRIPTION · Low Saturation Voltage:VCE(on) max= 2.7V@IC= 28A · Low Switching Losses · Exceptional Reliability APPLICATIONS · Switch-Mode Power Supply (SMPS) · Bridge Configurations · UPS,PFC

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ISC

无锡固电

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

VCES = 900V VCE(on) typ. = 2.25V @VGE = 15V, IC = 28A Features • Optimized for use in Welding and Switch-Mode Power Supply applications • Industry benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduct

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IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

900V Warp 20-100 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package

900V IGBT 与20-100 kHz 超快、超软恢复反并联二极管联合封装到 TO-247AC 封装中。 • 经过优化，适合在焊接和开关模式电源应用中使用\n• 行业基准开关损耗，提高所有电源拓扑结构的效率\n• 令关断损耗(Eoff)参数值降低 50%\n• 低 IGBT 通态损耗\n• IGBT 的设计提供更紧凑的参数分布，具有优秀的可靠性\n• 与 HEXFREDTM 联合封装的 IGBT，在桥配置中使用\n• 行业标准 TO-247AC 封装\n• 无铅\n\n优势:\n• 开关损耗更低意味着工作性价比的提升，可以替代功率高达 100kHz的大模 MOSFET\n• HEXFREDTM 二极管经过与 IGBT 并用优化，将噪声、EMI 和开关损耗降至最低;

Infineon

英飞凌

Package：TO-247-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 900V 51A 200W TO247AC

INFINEON

英飞凌

Package：TO-247-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 900V 51A 200W TO247AC

INFINEON

英飞凌