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IRG4PH50U	文件：134.14 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A) Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies up to 40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • New IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations • Optimized for power conversion; SMPS, UPS and 文件：134.14 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PH50U	文件：358.91 Kbytes Page：3 Pages	Ultra Fast Speed IGBT FEATURES ·Ultrafast Optimizes for high operating frequencies ·High Current Capability ·High Input Impedance ·Fast Switching APPLICATIONS ·Highest efficiency available ·Optimaized for power conversion;UPS,SMPS and welding 文件：358.91 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRG4PH50U	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes 页数：35 Pages	IRF	IRF
IRG4PH50UD	文件：229.82 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A) Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies up to 40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • New IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ult 文件：229.82 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4PH50UD	文件：375.85 Kbytes Page：3 Pages	IGBT DESCRIPTION ·Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.56V@IC=20A ·High Current Capability ·High Input Impedance ·Fast Switching APPLICATIONS ·Induction Heating,UPS ·AC & DC motor controls and general purpose inverters 文件：375.85 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRG4PH50UDPBF	文件：686.17 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies up to 40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • New IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generation 文件：686.17 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PH50UPBF	文件：628.16 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Fast Speed IGBT Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies up to 40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • New IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations • Optimized for power conversion; SMPS, UPS and 文件：628.16 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PH50UD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes 页数：35 Pages	IRF	IRF
IRG4PH50UDPBF	文件：687.13 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：687.13 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PH50UDPBF_15	文件：687.13 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：687.13 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 4
Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
TO-247
Voltage Class max：
1200.0V
IC(@100°) max：
24.0A
IC(@25°) max：
45.0A
ICpuls max：
180.0A
Ptot max：
200.0W
VCE(sat) ：
2.78V
Eon ：
0.53mJ
Eoff(Hard Switching) ：
1.41mJ
td(on) ：
31.0ns
tr ：
18.0ns
td(off) ：
320.0ns
tf ：
280.0ns
QGate ：
340.0nC
Ets (max)：
1.94mJ (2.6mJ)
Switching Frequency ：
Gen 4 8-30 kHz
VCE max：
1200.0V

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