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IRLR024	文件：1.2042 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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IRLR024	文件：463.68 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLR024	文件：472.42 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Surface-mount(IRLR024,SiHLR024) •Straightlead(IRLU024,SiHLU024) •Availableintapeandreel •Logic-levelgatedrive •RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.v	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLR024A	文件：397.91 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLR024N	文件：162.2 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewel	IRF International Rectifier	IRF
IRLR024N	文件：334.74 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •FastSwitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤65mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLR024N	文件：173.02 Kbytes Page：11 Pages	Logic-LevelGateDrive Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewel	IRF International Rectifier	IRF
IRLR024N	文件：942.94 Kbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thestraightleadversion(IRFUseries)isforthrough-holemountingapplications.Powerdissipationlevelsupto1.5wattsarepossibleintypicalsurfacemountapplications. ●Ultr	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRLR024NPBF	文件：304.82 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewel	IRF International Rectifier	IRF

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更多IRFU024NPBF其他被动元件供应商更新时间2025-5-16 9:12:00

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