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IRG4PC40UD	文件：245.54 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE( Vces=600V, Vce(on)typ.=1.72V, @Vge=15V, Ic=20A) UltraFast CoPack IGBT Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ult 文件：245.54 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40UD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes 页数：35 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40UD-EPBF	文件：3.08942 Mbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft-recovery anti-pa 文件：3.08942 Mbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40UDPBF	文件：3.08942 Mbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft-recovery anti-pa 文件：3.08942 Mbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40UDPBF	文件：3.08846 Mbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft-recovery anti-pa 文件：3.08846 Mbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40UD2	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes 页数：35 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40UDPBF	文件：3.08942 Mbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：3.08942 Mbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40UDPBF_15	文件：3.08942 Mbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：3.08942 Mbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PC40UD	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V 超快 8-60 kHz Copack IGBT，采用 TO-247AC 封装 • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40kHz in hard switching, >200kHz in resonant mode\n• Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3\n• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery anti-parallel diodes ;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4PC40UD-EPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 4
Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
TO-247
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
20.0A
IC(@25°) max：
40.0A
ICpuls max：
160.0A
Ptot max：
160.0W
VCE(sat) ：
1.72V
Eon ：
0.71mJ
Eoff(Hard Switching) ：
0.35mJ
td(on) ：
54.0ns
tr ：
57.0ns
td(off) ：
110.0ns
tf ：
80.0ns
QGate ：
100.0nC
IF max：
160.0A
VF ：
1.3V
Qrr ：
80.0nC
Irrm ：
4.0A
Ets (max)：
1.1mJ (1.5mJ)
VCE max：
600.0V

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