| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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13年
留言
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IRTO220 |
8300 |
24+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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INFINEONN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK(TO-263) |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK(TO-263) |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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11年
留言
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IRTO-220 |
22000 |
25+ |
原装现货假一罚十 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK(TO-263) |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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1年
留言
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INFINEONTO-220 |
2000 |
26+ |
只做原装 |
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16年
留言
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IRTO-220AB |
65400 |
23+ |
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15年
留言
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IRTO-220 |
15000 |
24+ |
全新原装的现货 |
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13年
留言
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IRTO-220 |
80000 |
24+ |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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5年
留言
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InfineonTO220 |
15500 |
25+ |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
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15年
留言
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IRTO-220 |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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7年
留言
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IRTO220 |
834 |
08+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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13年
留言
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IRTO-220AB |
19889 |
2015+ |
一级代理原装现货,特价热卖! |
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14年
留言
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IRTO-220AB |
19526 |
26+ |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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17年
留言
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IRTO-220 |
120 |
24+ |
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18年
留言
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IRTO-220 |
8000 |
05+ |
全新原装 绝对有货 |
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6年
留言
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INFINEON-英飞凌TO-220-3 |
83500 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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6年
留言
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IRC-TTTO-220-3 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
IRL3705N采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRL3705N图片
IRL3705NPBF价格
IRL3705NPBF价格：￥2.9614品牌：International
生产厂家品牌为International的IRL3705NPBF多少钱，想知道IRL3705NPBF价格是多少？参考价：￥2.9614。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRL3705NPBF批发价格及采购报价，IRL3705NPBF销售排行榜及行情走势，IRL3705NPBF报价。
IRL3705N中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL3705N制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220
IRL3705NL功能描述:MOSFET N-CH 55V 89A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3705NLPBF功能描述:MOSFET N-CH 55V 89A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3705NPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 77A 65.3nC 10mOhm LogLvAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL3705NS功能描述:MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3705NSHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 89A 3PIN D2PAK - Bulk
IRL3705NSL制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Logic-Level Gate Drive
IRL3705NSPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 65.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL3705NSTRL功能描述:MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3705NSTRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 89A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
