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IRL3705N	文件：106.74 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：106.74 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRL3705N	文件：339.15 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • reliable device for use in a wide variety of applications • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤10mΩ • Enhancement mode • Fast Switching Speed • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operatio 文件：339.15 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRL3705N/L	文件：188.49 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：188.49 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRL3705NLPBF	文件：294.11 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：294.11 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRL3705NPBF	文件：449.99 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low onresistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an ex 文件：449.99 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRL3705NPBF	文件：2.39581 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：2.39581 Mbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
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IRL3705NSPBF	文件：294.11 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：294.11 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRL3705NL	文件：324.79 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：324.79 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRL3705NPBF	文件：487.11 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：487.11 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRL3705NPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
10 mΩ
ID @25°C max：
89 A
QG typ @4.5V：
65.3 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1 V
VGS(th) max：
2 V
VGS(th)：
1.5 V
Technology：
IR MOSFET™

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