| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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IRTO-220 |
9782 |
ROHS全新原装 |
原装现货在线咨询样品※技术支持专业电子元器件授权 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO-220AB |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
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IORTO-220AB |
78900000 |
23+ |
原厂直接发货进口原装18930689907微信/QQ893727827 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRTO-220 |
4800 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
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SOP8 |
20000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-263-5 |
800 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-263-5 |
8000 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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IRNN/A |
2000 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
500 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市乐创天科技有限公司16年
留言
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IRTO-220 |
77 |
2010 |
原装正品现货 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRTO-220 |
1 |
18+ |
主营IR可含税只做全新原装正品现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRTO-220 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
15316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-263 |
11048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市恒佳微电子有限公司9年
留言
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10560 |
21+ |
十年专营,原装现货,假一赔十 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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15000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IR原厂封装 |
15850 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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IRFZ34NPBF价格
IRFZ34NPBF价格：￥1.2182品牌：INTERNATIONAL
生产厂家品牌为INTERNATIONAL的IRFZ34NPBF多少钱，想知道IRFZ34NPBF价格是多少？参考价：￥1.2182。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFZ34NPBF批发价格及采购报价，IRFZ34NPBF销售排行榜及行情走势，IRFZ34NPBF报价。
IRFZ34NPBF资讯
IRFZ34NS 250A55V TO263 IR N沟道 MOS管
深圳市轩嘉盛电子有限公司IRFZ34NSTO263250A55V
IRFZ34NSTR
型号：IRFZ34NSTR 品牌：IR/国际整流器 描述MOSFETN-CH55V29AD2PAK 类别：分离式半导体产品 家庭：FET-单 系列：HEXFET® FET型：MOSFETN通道，金属氧化物 FET特点：标准型 漏极至源极电压(Vd
IRFZ34NPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFZ34N功能描述:MOSFET MOSFET, 55V, 26A, 40 mOhm, 22.7 nC Qg, TO-220AB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ34N-019制造商:IandR 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB
IRFZ34NL功能描述:MOSFET N-CH 55V 29A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ34NLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 29A 40mOhm 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ34NPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 26A 40mOhm 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ34NS功能描述:MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ34NSPBF功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ34NSTRL制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRFZ34NSTRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 29A 40mOhm 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ34NSTRR功能描述:MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
