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IRG4PC50F	文件：146.41 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A) VCES= 600V VCE(on) typ. = 1.45V @VGE = 15V, IC = 39A Features • Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard 文件：146.41 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50F	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes 页数：35 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50FD	文件：211.82 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A) VCES = 600V VCE(on) typ. = 1.45V @VGE = 15V, IC = 39A Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packa 文件：211.82 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50FD	文件：343.9 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel IGBT DESCRIPTION · Low Saturation Voltage:VCE(sat)=1.6V@IC= 39A · High Current Capability · High Input Impedance · Low Conduction Loss APPLICATIONS · Synchronous Rectification in SMPS · Motor Drives · UPS,PFC · General purpose inverter 文件：343.9 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRG4PC50F-EPBF	文件：329.46 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-247AD package • Lead-Free Benefits • 文件：329.46 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50FPBF	文件：304.68 Kbytes Page：8 Pages	Fast Speed IGBT - INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：304.68 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50FPBF	文件：327.62 Kbytes Page：2 Pages	IGBT DESCRIPTION · Low Gate Drive Requirement · High Current Handling Capability · Short Circuit Capability · High Power Density APPLICATIONS · Power Inverters · Motor Drives · UPS,PFC · High Voltage Auxiliaries 文件：327.62 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRG4PC50FD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes 页数：35 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50FD-EPBF	文件：763.7 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：763.7 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50FDPBF	文件：763.7 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：763.7 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 4
Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
TO-247
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
39.0A
IC(@25°) max：
70.0A
ICpuls max：
280.0A
Ptot max：
200.0W
VCE(sat) ：
1.45V
Eon ：
0.37mJ
Eoff(Hard Switching) ：
2.1mJ
td(on) ：
28.0ns
tr ：
24.0ns
td(off) ：
390.0ns
tf ：
230.0ns
QGate ：
190.0nC
Ets (max)：
2.47mJ (3.0mJ)
Switching Frequency ：
Gen 4 8-30 kHz
VCE max：
600.0V

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