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IRG4PC50FDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

IRG4PC50FDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件:763.7 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRG4PC50FDPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

IRG4PC50F-EPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRF

IRG4PC50F-EPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRF

IRG4PC50FPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRF

IRG4PC50FPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRF

IRG4PC50F

600V 快速 1-8 kHz 分立 IGBT,采用 TO-247AC 封装

Infineon

英飞凌

IRG4PC50FD-EPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Infineon

英飞凌

IRG4PC50F-E

Gen 4 600V Fast 1-8 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC package

Infineon

英飞凌

技术参数

  • Technology :

    IGBT Gen 4

  • Switching Frequency min max:

    8.0kHz 30.0kHz

  • Package :

    TO-247

  • Voltage Class max:

    600.0V

  • IC(@100°) max:

    39.0A

  • IC(@25°) max:

    70.0A

  • ICpuls max:

    280.0A

  • Ptot max:

    200.0W

  • VCE(sat) :

    1.45V 

  • Eon :

    0.37mJ 

  • Eoff(Hard Switching) :

    2.1mJ 

  • td(on) :

    28.0ns 

  • tr :

    24.0ns 

  • td(off) :

    390.0ns 

  • tf :

    230.0ns 

  • QGate :

    190.0nC 

  • Ets  (max):

    2.47mJ (3.0mJ)

  • Switching Frequency :

    Gen 4 8-30 kHz

  • VCE max:

    600.0V

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