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IRG4PC50FD	文件：211.82 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A) VCES = 600V VCE(on) typ. = 1.45V @VGE = 15V, IC = 39A Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packa 文件：211.82 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50FD	文件：343.9 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel IGBT DESCRIPTION · Low Saturation Voltage:VCE(sat)=1.6V@IC= 39A · High Current Capability · High Input Impedance · Low Conduction Loss APPLICATIONS · Synchronous Rectification in SMPS · Motor Drives · UPS,PFC · General purpose inverter 文件：343.9 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRG4PC50FD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes 页数：35 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50FD-EPBF	文件：763.7 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：763.7 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50FDPBF	文件：763.7 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：763.7 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50FDPBF	文件：763.7 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：763.7 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50FDPBF	文件：762.74 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：762.74 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50FDPBF_15	文件：763.7 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：763.7 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50FD	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V Fast 1-8 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4PC50FD-EPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 4
Switching Frequency min max：
1.0kHz 8.0kHz
Package ：
TO-247
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
39.0A
IC(@25°) max：
70.0A
ICpuls max：
280.0A
Ptot max：
200.0W
VCE(sat) ：
1.45V
Eon ：
1.5mJ
Eoff(Hard Switching) ：
2.4mJ
td(on) ：
55.0ns
tr ：
25.0ns
td(off) ：
240.0ns
tf ：
140.0ns
QGate ：
190.0nC
IF max：
280.0A
VF ：
1.3V
Qrr ：
112.0nC
Irrm ：
4.5A
Ets (max)：
3.9mJ (5.0mJ)
VCE max：
600.0V

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更多IRG4PC50FD供应商更新时间2025-10-11 14:00:00

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