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IRL3803STRL	文件：664.57 Kbytes Page：11 Pages	Logic-Level Gate Drive Description Fifth Generation HEXFETs from international Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast swiching speed and urggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides 文件：664.57 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRL3803STRRPBF	文件：402.96 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description Fifth Generation HEXFETs from international Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast swiching speed and urggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides 文件：402.96 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRL3803V	文件：135.03 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, p 文件：135.03 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRL3803V	文件：339.05 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor • DESCRIPTION • Combine with the fast switching speed and ruggedized device design,provide the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤5.5mΩ • Enhancement mode • Fa 文件：339.05 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

详细参数

型号：
IRL3803STRL
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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