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IRL3803STRL规格书详情
Description
Fifth Generation HEXFETs from international Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast swiching speed and urggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with extrmely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
● Logic-Level Gate Drive
● Advanced Process Technology
● Surface Mount(IRL3803S)
● Low-profile through-hole(IRL3803L)
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
产品属性
- 型号：
IRL3803STRL
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-263 |
200000 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
21+ |
D2PAK |
800 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
IR |
06+ |
原厂原装 |
16851 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
IRL3803STRL |
3464 |
3464 |
询价 | ||||
IR |
22+ |
TO-263 |
42988 |
原装正品现货 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
D2PAK |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-263(D |
7300 |
专业优势供应 |
询价 | ||
原装IR |
24+ |
TO-263 |
9000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
询价 | ||
NA |
19+ |
75187 |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂； |
询价 | |||
IOR |
24+ |
TO-263 |
2987 |
绝对全新原装现货供应! |
询价 |
