选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IRD2-PAK |
9450 |
22+ |
原装正品,实单请联系 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRD2-pak |
20000 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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VBsemi(微碧)TO-263 |
5000 |
24+ |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市云美电子科技有限公司2年
留言
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INFINEON原封装 |
81220 |
22+ |
只做原装进口货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRD2-pak |
20000 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司12年
留言
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INFINEON原封装 |
81220 |
24+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263AB |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRTO-263 |
800 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
9600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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IR/International Rectifier/国TO-263 |
2870 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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IRTO220 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
100 |
21+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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IORTO263 |
20000 |
23+ |
原厂原装正品现货 |
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深圳市星辰微电科技有限公司3年
留言
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InfineonD2PAK |
15500 |
23+ |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRTO263 |
12000 |
23+ |
全新原装优势 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
IRFZ48NS采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRFZ48NS图片
IRFZ48NSTRLPBF价格
IRFZ48NSTRLPBF价格:¥3.0287品牌:International
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IRFZ48NS中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFZ48NS功能描述:MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ48NSHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 64A 3PIN D2PAK - Bulk
IRFZ48NSPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 54nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ48NSTRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRFZ48NSTRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 64A 14mOhm 54nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ48NSTRR功能描述:MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ48NSTRRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 64A 3PIN D2PAK - Tape and Reel