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IRFZ48NS	文件：134.29 Kbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFZ48NS	文件：1.08486 Mbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleon-resistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowinter	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
IRFZ48NS	文件：263.1 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor •FEATURES •WithTO-263(D2PAK)packaging •Highspeedswitching •Lowgateinputresistance •Standardlevelgatedrive •Easytouse •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Powersupply •Switchi	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRFZ48NSPBF	文件：297.48 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFZ48NSPBF	文件：1.025859 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES •175°CJunctionTemperature •TrenchFET®PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
IRFZ48NSPBF	文件：306.62 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFZ48NSPBF_15	文件：306.62 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司

详细参数

型号：
IRFZ48NS
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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