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IRG4PC50U	文件：147.44 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.65V, @Vge=15V, Ic=27A) VCES= 600V VCE(on) typ. = 1.65V @VGE = 15V, IC = 27A Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry stan 文件：147.44 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50U	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes 页数：35 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50UD	文件：213.92 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.65V, @Vge=15V, Ic=27A) VCES = 600V VCE(on) typ. = 1.65V @VGE = 15V, IC = 27A Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-pack 文件：213.92 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50UD	文件：375.18 Kbytes Page：3 Pages	IGBT DESCRIPTION ·Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.0V@IC=27A ·High Current Capability ·High Input Impedance ·Fast Switching APPLICATIONS ·Induction Heating,UPS ·AC & DC motor controls and general purpose inverters 文件：375.18 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRG4PC50UDPBF	文件：688.41 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE VCES = 600V VCE(on) typ. = 1.65V @VGE = 15V, IC = 27A Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-pack 文件：688.41 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50UPBF	文件：640.23 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT VCES= 600V VCE(on) typ. = 1.65V @VGE = 15V, IC = 27A Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry stan 文件：640.23 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50UD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes 页数：35 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50UDPBF	文件：697.54 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：697.54 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50UDPBF_15	文件：697.54 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：697.54 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50UPBF	文件：641.2 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：641.2 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

产品属性

产品编号：
IRG4PC50U
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，27A
开关能量：
120µJ（开），540µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
32ns/170ns
测试条件：
480V，27A，5 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AC
描述：
IGBT 600V 55A 200W TO247AC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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