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9N60	文件：63.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor DESCRITION ·Designedforhighefficiencyswitchmodepowersupply. FEATURES ·DrainCurrent–ID=8.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.0Ω(Max) ·AvalancheEnergySpecified ·FastSwitching ·SimpleD	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BLV9N60	文件：374.44 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET	ESTEKEstek Electronics Co. Ltd Estek Electronics Co. Ltd	ESTEK
FB9N60A	文件：135.44 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=600V,Rds(on)=0.75ohm,Id=9.2A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpower	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
FCD9N60N	文件：784.87 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCD9N60NTM	文件：353.76 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=385mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FCD9N60NTM	文件：784.87 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCP9N60N	文件：336.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=385mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FCP9N60N	文件：911.95 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelMOSFET600V,9A,0.385廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCPF9N60NT	文件：911.95 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelMOSFET600V,9A,0.385廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCPF9N60NT	文件：323.2 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=385mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FCPF9N60NT	文件：651.06 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelSupreMOS짰MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFB9N60	文件：135.44 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=600V,Rds(on)=0.75ohm,Id=9.2A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpower	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFB9N60A	文件：135.44 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=600V,Rds(on)=0.75ohm,Id=9.2A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpower	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFB9N60A	文件：329.36 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFB9N60A	文件：302.95 Kbytes Page：9 Pages	Switchmodepowersupply	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFB9N60A	文件：331.87 Kbytes Page：21 Pages	IRPLLNR5WideRangeInputLinearFluorescentBallast	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFB9N60A	文件：303.68 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFB9N60APBF	文件：160.96 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits •LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,Avalancheanddynamicdv/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications •SwitchModePowerSupply(SMPS) •UninterruptablePowerSupply •Highspeedpowersw	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFS9N60A	文件：165.8 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgresultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS) •Uninterruptib	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFS9N60A	文件：322.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •SwitchingVoltageRegulators •FEATURES •Lowdrain-sourceon-resistance: RDS(ON)=0.75Ω(MAX) •Enhancementmode: Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=0.25mA) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRFS9N60ATRL-LF供应商更新时间2024-6-1 10:00:00

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