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IRFU024	文件：172.77 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET POWER MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignedwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechni	IRF International Rectifier	IRF
IRFU024	文件：1.98595 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFU024	文件：4.50222 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU024	文件：1.06651 Mbytes Page：13 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Surface-mount(IRFR024,SiHFR024) •Straightlead(IRFU024,SiHFU024) •Availableintapeandreel •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFU024	文件：1.04466 Mbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFU024	文件：345.23 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU024	文件：1.16522 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFU024	文件：1.16522 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFU024N	文件：942.95 Kbytes Page：10 Pages	Ultra Low On-Resistance Description TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thestraightleadversion(IRFUseries)isforthrough-holemountingapplications.Powerdissipationlevelsupto1.5wattsarepossibleintypicalsurfacemountapplications. ●Ultr	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU024NPBF	文件：401.32 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRFU024
功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 14 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRFU024供应商更新时间2025-5-28 13:57:00

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