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IRFU024NPBF	文件：401.32 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, 文件：401.32 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFU024NPBF	文件：4.03053 Mbytes Page：10 Pages	Ultra Low On-Resistance Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, 文件：4.03053 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFU024PBF	文件：4.50222 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. Th 文件：4.50222 Mbytes 页数：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFU024PBF	文件：1.98595 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. Th 文件：1.98595 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRFU024A	文件：397.89 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：397.89 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFU024N	文件：178.33 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=17A?? 文件：178.33 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFU024N	文件：319.75 Kbytes Page：2 Pages	丝印：IPAK；Package：TO-251；Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：319.75 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFU024NPBF	文件：406.05 Kbytes Page：11 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：406.05 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFU024NPBF	文件：4.00212 Mbytes Page：10 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：4.00212 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFU024PBF	文件：1.06651 Mbytes Page：13 Pages	Power MOSFET 文件：1.06651 Mbytes 页数：13 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay

技术参数

OPN：
IRFU024NPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
IPAK
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
75 mΩ
ID @25°C max：
17 A
QG typ @10V：
13.3 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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更多IRFU024供应商更新时间2025-10-10 13:58:00

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