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IRFB23N15	文件：139.73 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)max=0.090ohm,Id=23A) Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFB23N15D	文件：1.18321 Mbytes Page：11 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFB23N15D	文件：139.73 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)max=0.090ohm,Id=23A) Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFB23N15D	文件：371.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.09Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFB23N15DPBF	文件：283.59 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFB23N15DPBF	文件：1.81375 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel150V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRFB23N15DPBF	文件：284.56 Kbytes Page：12 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFS23N15D	文件：188.69 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS23N15D	文件：139.73 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)max=0.090ohm,Id=23A) Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFS23N15DPBF	文件：284.56 Kbytes Page：12 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRFS23N15DPBF	文件：283.59 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFS23N15DTRLP	文件：284.56 Kbytes Page：12 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFSL23N15D	文件：276.76 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFSL23N15D	文件：139.73 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)max=0.090ohm,Id=23A) Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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