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IRFS640A

Rugged Gate Oxide Technology

FEATURES Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS= 200V Lower RDS(ON) : 0.144 (Typ. )

文件:325.6 Kbytes 页数:7 Pages

Fairchild

仙童半导体

IRFS640A

Improved gate charge

文件:304.43 Kbytes 页数:6 Pages

Samsung

三星

IRFS640A

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:59.08 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IRFS640A

Improved gate charge

Samsung

三星

IRFS640A

Rugged Gate Oxide Technology

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    IRFS640A

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述:

    - Bulk

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FAIRCHILD
24+
TO-220F
118
询价
IR
16+
TO-220
10000
全新原装现货
询价
harris
16+
原厂封装
10000
全新原装正品,代理优势渠道供应,欢迎来电咨询
询价
FSC
25+
TO-220
5000
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
询价
FSC/ON
23+
原包装原封 □□
2576
原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存
询价
FAIRCHILD
23+
TO-220F
65480
询价
FAIRCHILD/仙童
2022+
80
全新原装 货期两周
询价
FAI
24+
TO220
32650
一级代理/放心采购
询价
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-220F
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
FAIRCHILD/仙童
21+
TO220
10000
原装现货假一罚十
询价
更多IRFS640A供应商 更新时间2025-11-30 16:30:00