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IRFSL31N20D	文件：190.95 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A) Applications High frequency DC-DC converters Benefits Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSSto Simplify Design, Fully Characterized Avalanche Voltage and Current 文件：190.95 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFSL31N20D	文件：300.29 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：300.29 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFSL31N20DPBF	文件：295.33 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on)max = 0.082廓 , ID = 31A ) Applications High Frequency DC-DC converters Lead-Free Benefits Low Gate to Drain to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, Fully Characterized Avalanche Voltage and Current 文件：295.33 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRFSL31N20DPBF	文件：296.29 Kbytes Page：12 Pages	High Frequency DC-DC converters 文件：296.29 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRFSL31N20D	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 200V 31A TO-262	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRFSL31N20D
功能描述：
MOSFET N-CH 200V 31A TO-262
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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