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IRFSL31N20D规格书详情
Applications
High frequency DC-DC converters
Benefits
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including Effective COSSto Simplify Design,
Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
产品属性
- 型号：
IRFSL31N20D
- 功能描述：
MOSFET N-CH 200V 31A TO-262
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
4090 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
TO262 |
15500 |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-262 |
10000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
询价 | ||
IR |
05+ |
原厂原装 |
7351 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
IR |
23+24 |
TO-262 |
29840 |
主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
10000 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
IR |
25+23+ |
TO-262 |
26992 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-262 |
8866 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-262 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 |
