| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市晨豪科技有限公司10年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-262 |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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IRFNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRTO-262 |
7600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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IRTO-262 |
10000 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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深圳市大联智电子有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesTO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
6680 |
2022+ |
原厂原装，欢迎咨询 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRTO-262 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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IRTO-262 |
10000 |
22+ |
绝对全新原装现货 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesTO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRTO-262-3 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRTO-262 |
12500 |
2015+ |
全新原装,现货库存长期供应 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IRTO-262 |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-262 |
501156 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世TO-262-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRTO-262 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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IRTO-262-3 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-262 |
501156 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
IRFSL23N20D采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFSL23N20D图片
IRFSL23N20D中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFSL23N20D功能描述:MOSFET N-CH 200V 24A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFSL23N20D102P功能描述:MOSFET N-CH 200V 24A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFSL23N20DPBF制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 200V, 24A, 100 MOHM, 57 NC QG, TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 24A 3PIN TO-262 - Rail/Tube
