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IRFSL31N20DPBF	文件：295.33 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on)max = 0.082廓 , ID = 31A ) Applications HighFrequencyDC-DCconverters Lead-Free Benefits LowGatetoDraintoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign, FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL31N20DPBF	文件：296.29 Kbytes Page：12 Pages	High Frequency DC-DC converters	IRF International Rectifier	IRF
B31N20D	文件：190.95 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.082ohm,Id=31A) Applications HighfrequencyDC-DCconverters Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign, FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
FF31N20D	文件：1.29941 Mbytes Page：6 Pages	THINKI40A,200VMaturedPlanarN-ChannelPowerMOSFETs Features •40A,200V,RDS(on)=0.060Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical154nC) •LowCrss(typical101pF) •Fastswitching •100%avalanchetested •Improveddv/dtcapability •175°Cmaximumjunctiontemperaturerating	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
FS31N20D	文件：1.58451 Mbytes Page：6 Pages	THINKI40A,200VMaturedPlanarN-ChannelPowerMOSFETs Features •40A,200V,RDS(on)=0.060Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical154nC) •LowCrss(typical101pF) •Fastswitching •100%avalanchetested •Improveddv/dtcapability •175°Cmaximumjunctiontemperaturerating	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
IIRFB31N20D	文件：339.03 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFB31N20	文件：190.95 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.082ohm,Id=31A) Applications HighfrequencyDC-DCconverters Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign, FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF
IRFB31N20D	文件：339.03 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFB31N20D	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRFB31N20D	文件：190.95 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.082ohm,Id=31A) Applications HighfrequencyDC-DCconverters Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign, FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRFSL31N20DPBF
制造商：
International Rectifier
功能描述：
MOSFET, 200V, 31A, 82 MOHM, 70 NC QG, TO-262
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 200V 31A 3PIN TO-262 - Rail/Tube
功能描述：
N CHANNEL MOSFET, 200V, 31A, TO-262, Transistor
Polarity：
N Channel, Continuous D

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