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IRFSL38N20D	文件：275.56 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Applications • High frequency DC-DC converters • Plasma Display Panel • Lead-Free Benefits • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalan 文件：275.56 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFSL38N20D	文件：133.62 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.054ohm, Id=44A) Applications • High frequency DC-DC converters Benefits • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current 文件：133.62 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFSL38N20DPBF	文件：715.75 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Applications • High frequency DC-DC converters • Plasma Display Panel • Lead-Free Benefits • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalan 文件：715.75 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFSL38N20DPbF	文件：589.27 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：589.27 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFSL38N20D	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 TO-262 封装的 200V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 具备完全特性化的雪崩电压和电流\n• 低栅漏电荷，可降低开关损耗\n• 具备完全特性化的的电容，包括有效的Coss以简化设计;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Package ：
I2PAK (TO-262)
VDS max：
200.0V
RDS (on)(@10V) max：
54.0mΩ
RDS (on) max：
54.0mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TC=100°C) max：
32.0A
ID max：
32.0A
ID (@ TC=25°C) max：
44.0A
Ptot max：
320.0W
QG ：
60.0nC
Mounting ：
THT
RthJC max：
0.47K/W
VGS max：
30.0V
Qgd ：
28.0nC
Tj max：
175.0°C

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