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IRFSL38N20D中文资料采用 TO-262 封装的 200V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET数据手册Infineon规格书
IRFSL38N20D规格书详情
特性 Features
优势:
• 符合 RoHS
• 具有业内先进的品质
• 具备完全特性化的雪崩电压和电流
• 低栅漏电荷,可降低开关损耗
• 具备完全特性化的的电容,包括有效的Coss以简化设计
技术参数
- 制造商编号
:IRFSL38N20D
- 生产厂家
:Infineon
- Package
:I2PAK (TO-262)
- VDS max
:200.0V
- RDS (on)(@10V) max
:54.0mΩ
- RDS (on) max
:54.0mΩ
- Polarity
:N
- ID (@ TC=100°C) max
:32.0A
- ID max
:32.0A
- ID (@ TC=25°C) max
:44.0A
- Ptot max
:320.0W
- QG
:60.0nC
- Mounting
:THT
- RthJC max
:0.47K/W
- VGS max
:30.0V
- Qgd
:28.0nC
- Tj max
:175.0°C
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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