选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscI2PAK/TO-262 |
2900 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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IRTO-262-3 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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IRTO-262 |
10000 |
22+ |
绝对全新原装现货 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesTO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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艾睿国际(香港)有限公司2年
留言
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IRTO-262 |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRTO-262 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IRTO-262 |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市大联智电子有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesTO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
6680 |
2022+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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深圳市芯为科技有限公司5年
留言
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IRTO-262 |
16800 |
2023+ |
芯为只有原装,公司现货 |
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深圳市光华微科技有限公司5年
留言
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IRTO-262-3 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRTO-262 |
7600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRTO-262 |
9852 |
1822+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRTO-262 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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INFINEONTO-262 |
3000 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO-262 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
IRFSL33N15D采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRFSL33N15D图片
IRFSL33N15DPBF价格
IRFSL33N15DPBF价格:¥10.4725品牌:INTERNATIONAL
生产厂家品牌为INTERNATIONAL的IRFSL33N15DPBF多少钱,想知道IRFSL33N15DPBF价格是多少?参考价:¥10.4725。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRFSL33N15DPBF批发价格及采购报价,IRFSL33N15DPBF销售排行榜及行情走势,IRFSL33N15DPBF报价。
IRFSL33N15D中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFSL33N15D功能描述:MOSFET N-CH 150V 33A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFSL33N15DPBF制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, D2-PAK
IRFSL33N15DTRRP功能描述:MOSFET N-CH 150V 33A TO-262-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件