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IRFSL41N15D	文件：193 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.045ohm, Id=41A) Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduce SwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL41N15D	文件：268.02 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduce SwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL41N15DPBF	文件：342.04 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduce SwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL41N15DPbF	文件：714.57 Kbytes Page：13 Pages	High frequency DC-DC converters Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduce SwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp. NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent ●Lead-Free Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
FB41N15D	文件：193 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)max=0.045ohm,Id=41A) Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduce SwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IIRFB41N15D	文件：338.36 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •HighfrequencyDC-DCconverters •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤45mΩ •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFB41N15D	文件：193 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)max=0.045ohm,Id=41A) Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduce SwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFB41N15D	文件：268.02 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduce SwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFB41N15D	文件：338.36 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •HighfrequencyDC-DCconverters •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤45mΩ •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFB41N15DPBF	文件：343 Kbytes Page：13 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRFSL41N15D
功能描述：
MOSFET N-CH 150V 41A TO-262
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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