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IRFSL4410	文件：409.06 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL4410	文件：331.06 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFSL4410PBF	文件：796.58 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability ●Lead-Free Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPow	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL4410ZPBF	文件：839.58 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability ●Lead-Free Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPow	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL4410Z	文件：306.03 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFSL4410ZPBF	文件：839.58 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability ●Lead-Free Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPow	IRF International Rectifier	IRF
IXBD4410	文件：705.17 Kbytes Page：11 Pages	ISOSMARTHalfBridgeDriverChipset TheIXBD4410/IXBD4411ISOSMARTchipsetisdesignedtocontrolthegatesoftwoPowerMOSFETsorPowerIGBTsthatareconnectedinahalfbridge(phase-leg)configurationfordrivingmultiple-phasemotors,orusedinapplicationsthatrequirehalf-bridgepowercircuits.TheIXBD4410/IXBD4411isaf	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXBD4410P	文件：705.17 Kbytes Page：11 Pages	ISOSMARTHalfBridgeDriverChipset TheIXBD4410/IXBD4411ISOSMARTchipsetisdesignedtocontrolthegatesoftwoPowerMOSFETsorPowerIGBTsthatareconnectedinahalfbridge(phase-leg)configurationfordrivingmultiple-phasemotors,orusedinapplicationsthatrequirehalf-bridgepowercircuits.TheIXBD4410/IXBD4411isaf	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXBD4410PI	文件：705.17 Kbytes Page：11 Pages	ISOSMARTHalfBridgeDriverChipset TheIXBD4410/IXBD4411ISOSMARTchipsetisdesignedtocontrolthegatesoftwoPowerMOSFETsorPowerIGBTsthatareconnectedinahalfbridge(phase-leg)configurationfordrivingmultiple-phasemotors,orusedinapplicationsthatrequirehalf-bridgepowercircuits.TheIXBD4410/IXBD4411isaf	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXBD4410SI	文件：705.17 Kbytes Page：11 Pages	ISOSMARTHalfBridgeDriverChipset TheIXBD4410/IXBD4411ISOSMARTchipsetisdesignedtocontrolthegatesoftwoPowerMOSFETsorPowerIGBTsthatareconnectedinahalfbridge(phase-leg)configurationfordrivingmultiple-phasemotors,orusedinapplicationsthatrequirehalf-bridgepowercircuits.TheIXBD4410/IXBD4411isaf	IXYS IXYS Corporation	IXYS

详细参数

型号：
IRFSL4410
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 96A TO-262
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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