IRFSL4310中文资料下载供应代理无锡固电IRF-114ic电子网

首页 >IRFSL4310>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
IRFSL4310	文件：383.68 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits • Worldwide Best RDS(on) in TO-220 • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA • Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability Applications • High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS • Uninterruptible Power S 文件：383.68 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFSL4310	文件：299.6 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.6 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFSL4310	文件：330.58 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：330.58 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFSL4310	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-262 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 快速开关\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFSL4310PBF	文件：381.53 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰Power MOSFET Benefits • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA • Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability • Lead-Free Applications • High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS • Uninterruptible Power Supply • High Speed Pow 文件：381.53 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRFSL4310ZPBF	文件：426.56 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA • Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability • Lead-Free Applications • High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS • Uninterruptible Power Supply • High Speed Po 文件：426.56 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFSL4310PBF	文件：382.49 Kbytes Page：12 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：382.49 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRFSL4310PBF	文件：382.49 Kbytes Page：12 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：382.49 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRFSL4310ZPBF	文件：330.36 Kbytes Page：11 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：330.36 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFSL4310Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 TO-262 封装的 100V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

VDS max：
100.0V
RDS (on)(@10V) max：
7.0mΩ
RDS (on) max：
7.0mΩ
Polarity ：
N
ID max：
97.0A
ID (@ TC=100°C) max：
97.0A
ID (@ TC=25°C) max：
140.0A
Ptot max：
330.0W
QG ：
170.0nC
Mounting ：
THT
Tj max：
175.0°C
Qgd ：
62.0nC
RthJC max：
0.45K/W
VGS max：
20.0V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市壹芯创科技有限公司	IRFSL4310	IR	21+	aa	1000	只做原装正品!现货库存!可开13点增值税票	询价
深圳市美思瑞电子科技有限公司	IRFSL4310	IR	22+	TO-262	9450	原装正品，实单请联系	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	IRFSL4310	IR	24+	TO-262	501161	免费送样原盒原包现货一手渠道联系	询价
深圳市一线半导体有限公司	IRFSL4310	IR	24+	TO-262	8866		询价
深圳市华来深电子有限公司	IRFSL4310	IR	23+	TO-262	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	IRFSL4310	IR	25+23+	TO-262	28927	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳市湘达电子有限公司	IRFSL4310	IR	20+	aa	500	绝对全新原装现货,欢迎来电查询	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	IRFSL4310	INFINE0N	21+	I2PAK (TO-262)	32568	100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营	询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	IRFSL4310	IR	23+	TO-262	30000	代理全新原装现货,价格优势	询价
京海半导体(深圳)有限公司	IRFSL4310	IR	21+	TO-262	10000	原装现货假一罚十	询价

更多IRFSL4310供应商更新时间2025-10-6 10:16:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号