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IRFSL3307ZPBF	文件：835.99 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA ● Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability Applications ● High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS ● Uninterruptible Power Supply ● High Speed Power Switching 文件：835.99 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
LTC3307A	文件：2.74276 Mbytes Page：28 Pages	5V, 12.5A Synchronous Step-Down Silent Switcher 2 in 3mm x 3mm LQFN 文件：2.74276 Mbytes 页数：28 Pages	AD 亚德诺	AD
LTC3307A	文件：2.79594 Mbytes Page：26 Pages	5V, 12.5A Synchronous Step-Down Silent Switcher in 3mm x 3mm LQFN 文件：2.79594 Mbytes 页数：26 Pages	AD 亚德诺	AD
LTC3307A	文件：2.61766 Mbytes Page：28 Pages	5V, Dual 6A/Dual-Phase 12A Step-Down DC/DC Regulator 文件：2.61766 Mbytes 页数：28 Pages	AD 亚德诺	AD

详细参数

型号：
IRFSL3307ZPBF
功能描述：
MOSFET N-CH 75V 120A TO-262
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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