IRFSL9N60A数据表ic资料库存现货威世科技-114ic电子网

首页 >IRFSL9N60A>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
IRFSL9N60A	文件：234.94 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamic dV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSDirective200	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFSL9N60A	文件：261.85 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFETs FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalanche,anddynamicdv/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFSL9N60A	文件：131.31 Kbytes Page：8 Pages	SMPS MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL9N60A_V01	文件：261.85 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFETs FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalanche,anddynamicdv/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFSL9N60APBF	文件：261.85 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MDF9N60	文件：739.29 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,9A,0.75(ohm) TheMDF9N60usesadvancedMagnaChip’sMOSFETTechnology,whichprovideslowon-stateresistance,highswitchingperformanceandexcellentquality.MDF9N60issuitabledeviceforSMPS,highSpeedswitchingandgeneralpurposeapplications.	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF9N60B	文件：787.12 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,9A,0.80(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF9N60BTH	文件：323.12 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDF9N60BTH	文件：787.12 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,9A,0.80(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF9N60TH	文件：739.29 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,9A,0.75(ohm) TheMDF9N60usesadvancedMagnaChip’sMOSFETTechnology,whichprovideslowon-stateresistance,highswitchingperformanceandexcellentquality.MDF9N60issuitabledeviceforSMPS,highSpeedswitchingandgeneralpurposeapplications.	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP

详细参数

型号：
IRFSL9N60A
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市亚泰盈科电子有限公司	IRFSL9N60A	IR		TO-220	30216	提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	IRFSL9N60A	IR	24+	TO 262	161069	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	IRFSL9N60A	IR	24+	TO-262	501167	免费送样原盒原包现货一手渠道联系	询价
深圳市勤思达科技有限公司	IRFSL9N60A	IR	2015+	TO-262	12500	全新原装,现货库存长期供应	询价
深圳市博浩通科技有限公司	IRFSL9N60A	IR	23+	TO-262	7600	全新原装现货	询价
深圳市一线半导体有限公司	IRFSL9N60A	IR	24+	TO-262	8866		询价
深圳市永贝尔科技有限公司	IRFSL9N60A	IRF	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
上海市鑫鸿达电子	IRFSL9N60A	IR	2022+		11	全新原装货期两周	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IRFSL9N60A	IR	23+	TO-262	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市仟禧电子有限公司	IRFSL9N60A	IR	22+	TO-220	20000	保证原装正品,假一陪十	询价

更多IRFSL9N60A供应商更新时间2025-5-19 9:10:00

客户服务网站合作

Tel：+86-755-8246-9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：web＠114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号