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IRFU024NPBF	文件：401.32 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, 文件：401.32 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFU024NPBF	文件：4.03053 Mbytes Page：10 Pages	Ultra Low On-Resistance Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, 文件：4.03053 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFU024NPBF	文件：4.00212 Mbytes Page：10 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：4.00212 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
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