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IRFU120ZPBF	文件：263.99 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switch 文件：263.99 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFU120ZPBF	文件：4.27158 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switch 文件：4.27158 Mbytes 页数：11 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFU120ZPBF	文件：4.26012 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switch 文件：4.26012 Mbytes 页数：11 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFY120	文件：14.34 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS 文件：14.34 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
IRFY120C	文件：15.61 Kbytes Page：1 Pages	N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed 文件：15.61 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
IRLD120	文件：169.38 Kbytes Page：6 Pages	POWER MOSFET 文件：169.38 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRFU120ZPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 100V 8.7A 190mOhm 6.9nC Qg
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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