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IRFSL59N10D	文件：138.98 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A) Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters 文件：138.98 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFSL59N10D	文件：321.15 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：321.15 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFSL59N10DPBF	文件：224.3 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters ● UPS / Motor Control Invert 文件：224.3 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFSL59N10D	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET® Power MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRFSL59N10D
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 59A TO-262
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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