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IRFU12N25D

SMPS MOSFET

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IRF

IRFU12N25DPBF

HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 250V , RDS(on)max = 0.26廓 , ID = 14A )

Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters ● Lead-Free

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IRF

IRFU12N25DPBF

SMPS MOSFET

Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters ● Lead-Free

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KERSEMI

IRFU12N25DPBF

High frequency DC-DC converters

文件:231.09 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRFU12N25DPBF

High frequency DC-DC converters

文件:231.09 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRFU12N25D

MOSFET N-CH 250V 14A I-PAK

Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    IRFU12N25D

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 250V 14A I-PAK

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    HEXFET®

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

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更多IRFU12N25D供应商 更新时间2025-12-16 10:31:00