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IRFS730B	文件：898.57 Kbytes Page：10 Pages	400V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hi 文件：898.57 Kbytes 页数：10 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
IRFS730B	文件：3.10167 Mbytes Page：9 Pages	400V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstan 文件：3.10167 Mbytes 页数：9 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFW730	文件：681.53 Kbytes Page：9 Pages	400V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstan 文件：681.53 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
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ISCB730N	文件：258.089 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：258.089 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

详细参数

型号：
IRFS730B
功能描述：
MOSFET 400V N-Channel B-FET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRFS730B供应商更新时间2025-12-12 16:12:00

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