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IRFSL3207	文件：385 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Applications High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Uninterruptible Power Supply High Speed Power Switching Hard Switched and High Frequency Circuits Benefits Worldwide Best RDS(on) in TO-220 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance a 文件：385 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFSL3207PBF	文件：383.2 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰Power MOSFET Applications High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Uninterruptible Power Supply High Speed Power Switching Hard Switched and High Frequency Circuits Benefits Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA 文件：383.2 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRFSL3207ZPBF	文件：829.1 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Applications High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Uninterruptible Power Supply High Speed Power Switching Hard Switched and High Frequency Circuits Benefits Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA 文件：829.1 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFSL3207PBF	文件：384.16 Kbytes Page：12 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：384.16 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRFSL3207Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 TO-262 封装的 75V 单 N 沟道功率 MOSFET \n优势:\n• Optimized for broadest availability from distribution partners\n• Product qualification according to JEDEC standard\n• Optimized for 10V gate-drive voltage (called Normal level)\n• Industry standard through-hole power package\n• High-current carrying capability package (upto 195A, die-size ;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRFSL3207ZPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO262
VDS max：
75 V
RDS (on) @10V max：
4.1 mΩ
ID @25°C max：
170 A
QG typ @10V：
120 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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