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IRFSL3207	文件：385 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Applications HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS UninterruptiblePowerSupply HighSpeedPowerSwitching HardSwitchedandHighFrequencyCircuits Benefits WorldwideBestRDS(on)inTO-220 ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitancea	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL3207PBF	文件：383.2 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰Power MOSFET Applications HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS UninterruptiblePowerSupply HighSpeedPowerSwitching HardSwitchedandHighFrequencyCircuits Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL3207ZPBF	文件：829.1 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Applications HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS UninterruptiblePowerSupply HighSpeedPowerSwitching HardSwitchedandHighFrequencyCircuits Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL3207PBF	文件：384.16 Kbytes Page：12 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL3207Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	75V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-262 封装; \n优势:\n• Optimized for broadest availability from distribution partners\n• Product qualification according to JEDEC standard\n• Optimized for 10V gate-drive voltage (called Normal level)\n• Industry standard through-hole power package\n• High-current carrying capability package (upto 195A, die-size dependent)\n• Capable of being wave soldered\n;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRFSL3207ZPBF	文件：829.1 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Applications HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS UninterruptiblePowerSupply HighSpeedPowerSwitching HardSwitchedandHighFrequencyCircuits Benefits ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA	IRF International Rectifier	IRF
JANN3207	文件：66.14 Kbytes Page：2 Pages	PELLETDIODES	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
KSM3207	文件：661.89 Kbytes Page：4 Pages	AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS(ON)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KTC3207	文件：4.23191 Mbytes Page：3 Pages	TO-92LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighVoltage ●SmallCollectorOutputCapacitance	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
KTC3207	文件：123.52 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES •Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25℃) •Collectorcurrent ICM:100mA •Collector-basevoltage V(BR)CBO:300V •Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN

技术参数

OPN：
IRFSL3207ZPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO262
VDS max：
75 V
RDS (on) @10V max：
4.1 mΩ
ID @25°C max：
170 A
QG typ @10V：
120 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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