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IRFSL11N50APBF	文件：810.17 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：810.17 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFY11N50CMA	文件：106.84 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) 文件：106.84 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRFY11N50CMA	文件：107.94 Kbytes Page：7 Pages	Simple Drive Requirements 文件：107.94 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
KF11N50F	文件：401.25 Kbytes Page：7 Pages	N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR General Description This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and switching mode power supplies. FEATURES • VDSS= 500V, ID= 11A • Dr 文件：401.25 Kbytes 页数：7 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC

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更多IRFSL11N50APBF供应商更新时间2026-1-31 17:25:00