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IRFSL3307	文件：412.48 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA •EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications •HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS •UninterruptiblePowerSupply •HighSpeed	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL3307ZPBF	文件：835.99 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL3307ZPBF	文件：835.99 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheSOA ●EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dtCapability Applications ●HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ●UninterruptiblePowerSupply ●HighSpeedPowerSwitching	IRF International Rectifier	IRF
LTC3307A	文件：1.4995 Mbytes Page：16 Pages	1.75ASynchronousStep-DownRegulatorin1.6mm×1mmWLCSP FEATURES -VOUTRange:0.5Vto3.65V -2MHzSwitchingFrequency -LowRippleBurstMode®orForcedContinuous ModeofOperation -HighEfficiency:30mΩNMOS,100mΩPMOS -PeakCurrentModeControl -22nsMinimumOn-Time -WideBandwidth,FastTransientResponse -SafelyToleratesInductor	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
LTC3307A	文件：1.78442 Mbytes Page：28 Pages	5V,15ASynchronousStep-DownSilentSwitcherin3mm×3mmLQFN FEATURES -LayoutCompatiblewithLTC3310/LTC3311Family -SilentSwitcher®Architecture -UltralowEMIEmissions -HighEfficiency:3mΩNMOSand8mΩPMOS -WideBandwidth,FastTransientResponse -SafelyToleratesInductorSaturationinOverload -VINRange:2.25Vto5.5V -VOUTRange:0	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
LTC3307A	文件：2.14377 Mbytes Page：26 Pages	5V,Dual4A/Dual-Phase8AStep-DownDC/DCRegulatorin2.2mm×2.7mmWLCSP FEATURES -Dual4AOutputs -ConfigurableasSingleOutput,2-Phase8ABuck -HighEfficiency:12mΩHigh-Sideand8mΩLow-Side -±1MaximumTotalDCOutputError -WideBandwidth,FastTransientResponse -VINRange:2.25Vto5.5V -VOUTRange:0.5VtoVIN -ProgrammableFrequencyto3MHz	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
LTC3307A	文件：2.55778 Mbytes Page：20 Pages	5V,2ASynchronousStep-DownRegulatorin2mm×2mmFCQFN FEATURES -HighEfficiency:30mΩNMOS,85mΩPMOS -PeakCurrentModeControl -27nsMinimumOn-Time -WideBandwidth,FastTransientResponse -Low-RippleBurstMode®OperationwithIQof80μA -Upto6MHzOperation -SafelyToleratesInductorSaturationinOverload -VINRange:2.25Vto5	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
LTC3307A	文件：2.79594 Mbytes Page：26 Pages	5V,12.5ASynchronousStep-DownSilentSwitcherin3mmx3mmLQFN	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
LTC3307A	文件：2.74276 Mbytes Page：28 Pages	5V,12.5ASynchronousStep-DownSilentSwitcher2in3mmx3mmLQFN	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
LTC3307A	文件：1.78044 Mbytes Page：22 Pages	Dual5V,2ASynchronousStep-DownDC/DCsin2mm횞2mmLQFN	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD

详细参数

型号：
IRFSL3307
功能描述：
MOSFET N-CH 75V 130A TO-262
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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