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IRFS23N15D	文件：139.73 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.090ohm, Id=23A) Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFS23N15D	文件：188.69 Kbytes Page：2 Pages	Marking：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS23N15DPBF	文件：283.59 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFS23N15DPBF	文件：284.56 Kbytes Page：12 Pages	High frequency DC-DC converters	IRF International Rectifier	IRF
IRFS23N15DPBF	文件：284.56 Kbytes Page：12 Pages	High frequency DC-DC converters	IRF International Rectifier	IRF
IRFS23N15DPBF_15	文件：284.56 Kbytes Page：12 Pages	High frequency DC-DC converters	IRF International Rectifier	IRF
IRFS23N15DTRLP	文件：284.56 Kbytes Page：12 Pages	High frequency DC-DC converters	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRFS23N15D
功能描述：
MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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