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IRFS23N15D

Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.090ohm, Id=23A)

Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications HighfrequencyDC-DCconverters

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

IRFS23N15D

Isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

IRFS23N15DPBF

HEXFET짰Power MOSFET

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IRF

IRFS23N15DPBF

High frequency DC-DC converters

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

IRFS23N15DPBF

High frequency DC-DC converters

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

IRFS23N15DPBF_15

High frequency DC-DC converters

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

IRFS23N15DTRLP

High frequency DC-DC converters

IRFInternational Rectifier

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IRF

IRFB23N15

PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)max=0.090ohm,Id=23A)

Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications HighfrequencyDC-DCconverters

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IRF

IRFB23N15D

HighfrequencyDC-DCconverters

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI

IRFB23N15D

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.09Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

IRFB23N15D

PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)max=0.090ohm,Id=23A)

Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications HighfrequencyDC-DCconverters

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IRF

IRFB23N15DPBF

HEXFET짰PowerMOSFET

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IRF

IRFB23N15DPBF

N-Channel150V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

IRFB23N15DPBF

HighfrequencyDC-DCconverters

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IRF

IRFSL23N15D

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

IRFSL23N15D

PowerMOSFET(Vdss=150V,Rds(on)max=0.090ohm,Id=23A)

Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications HighfrequencyDC-DCconverters

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IRFSL23N15DPBF

HEXFET짰PowerMOSFET

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IRFSL23N15DPBF

HighfrequencyDC-DCconverters

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IRF

详细参数

  • 型号:

    IRFS23N15D

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    HEXFET®

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
23+
TO-263
12300
全新原装真实库存含13点增值税票!
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22+
D2-pak
20000
只做原装进口 免费送样!!
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D2-Pak
31518
原装正品 可含税交易
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TO-263
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一般纳税人资质,只做原装正品。
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23+
TO-263
35890
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TO-220
10000
全新原装现货
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D2-pak
26589
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票
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IR
16+
原厂封装
798
原装现货假一罚十
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23+
D2-Pak
8600
全新原装现货
询价
IR
08+(pbfree)
D2-Pak
8866
询价
更多IRFS23N15D供应商 更新时间2024-4-28 15:30:00