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IRFB23N15	文件：139.73 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.090ohm, Id=23A) Benefits Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications High frequency DC-DC converters 文件：139.73 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFB23N15	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET power MOSFET. VDSS = 150V, RDS(on) = 0.090 Ohm, ID = 23A Benefits\n Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses\n Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001)\n Fully Characterized Avalanche Voltage and Current	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFB23N15D	文件：371.81 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=23A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.09Ω(Max)@VGS = 10 V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：371.81 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFB23N15D	文件：139.73 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.090ohm, Id=23A) Benefits Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications High frequency DC-DC converters 文件：139.73 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFB23N15D	文件：1.18321 Mbytes Page：11 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：1.18321 Mbytes 页数：11 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFB23N15DPBF	文件：283.59 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰Power MOSFET 文件：283.59 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRFB23N15DPBF	文件：284.56 Kbytes Page：12 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：284.56 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRFB23N15DPBF	文件：1.81375 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 文件：1.81375 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRFB23N15D	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 TO-220AB 封装的 150V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Ptotmax：
3.8 W
Qgd：
19 nC
QG(typ @10V)：
37 nC
RDS (on)(@10V) max：
90 mΩ
RthJCmax：
1.1 K/W
Tjmax：
175 °C
VDSmax：
150 V
VGS(th)：
4.25 V
VGSmax：
30 V
Mounting：
THT
Package：
TO-220
Polarity：
N

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