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IRFB23N15	文件：139.73 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.090ohm, Id=23A) Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFB23N15D	文件：139.73 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.090ohm, Id=23A) Benefits LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFB23N15D	文件：371.81 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.09Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFB23N15D	文件：1.18321 Mbytes Page：11 Pages	High frequency DC-DC converters	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFB23N15DPBF	文件：283.59 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFB23N15DPBF	文件：1.81375 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 150 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRFB23N15DPBF	文件：284.56 Kbytes Page：12 Pages	High frequency DC-DC converters	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRFB23N15
制造商：
IRF
制造商全称：
International Rectifier
功能描述：
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.090ohm, Id=23A)

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更多IRFB23N15供应商更新时间2025-7-22 17:22:00

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