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IRFW840B	文件：695.11 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
JCS840	文件：860.15 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNELMOSFET N-CHANNELMOSFET ID8A VDSS500V Rdson（@Vgs=10V）0.8Ω Qg59nC FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical35pF) Fastswitching 100avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct APPLICATIONS Highefficiencyswitchmodepowersupplies	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.	JSMC
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JCT840	文件：220.72 Kbytes Page：1 Pages	SCRChip	JIEJIEJIEJIE MICROELECTRONICS CO.,Ltd 捷捷微电子江苏捷捷微电子股份有限公司	JIEJIE
JMP840A	文件：694.32 Kbytes Page：9 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
KRC840E	文件：69.41 Kbytes Page：6 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION FEATURES WithBuilt-inBiasResistors. SimplifyCircuitDesign. ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KRC840U	文件：69.89 Kbytes Page：6 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors. ●SimplifyCircuitDesign. ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
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KSMB840	文件：820.95 Kbytes Page：4 Pages	Excellentpackageforgoodheatdissipation.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF840	文件：649.63 Kbytes Page：4 Pages	Greendeviceavailable.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KT840	文件：650.39 Kbytes Page：7 Pages	SLOTTEDOPTICALSWITCHESPHOTOTRANSISTOROUTPUT	Optek TT Electronics/Optek Technology	Optek
LN840RPX	文件：30.79 Kbytes Page：1 Pages	4.4mmSeries	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
LS840	文件：32.58 Kbytes Page：2 Pages	LOWNOISELOWDRIFTLOWCAPACITANCEMONOLITHICDUALN-CHANNELJFET FEATURES •LOWNOISEen=8nV/√HzTYP. •LOWLEAKAGEIG=10pATYP. •LOWDRIFT\|∆VGS1-2/∆T\|=5µV/°Cmax. •LOWOFFSETVOLTAGEIVGS1-2I=2mVTYP.	LINEAR 凌特	LINEAR
LS840	文件：283.64 Kbytes Page：1 Pages	LinearSystemsUltraLowLeakageLowDriftMonolithicDualJFET TheLS840isahigh-performancemonolithicdualJFETfeaturingextremelylownoise,tightoffsetvoltageandlowdriftovertemperaturespecifications,andistargetedforuseinawiderangeofprecisioninstrumentationapplications.TheLS840featuresa5-mVoffsetand5-µV/°Cdrift. The8Pi	MICROSS MICROSS	MICROSS
LS840_PDIP	文件：283.64 Kbytes Page：1 Pages	MONOLITHICDUALN-CHANNELJFET	MICROSS MICROSS	MICROSS
LS840_SOIC	文件：283.65 Kbytes Page：1 Pages	MONOLITHICDUALN-CHANNELJFET	MICROSS MICROSS	MICROSS
LSM840	文件：99.22 Kbytes Page：2 Pages	8AmpSchottkyRectifier 8AmpSchottkyRectifier ●SchottkyBarrierRectifier ●GuardRingProtection ●LowForwardVoltage ●150°CJunctionTemperature ●VRRM35to45Volts ●HighCurrentCapability	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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