| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRSOT-223 |
20000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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IR/INFINEONSOT-223 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRSOT-223 |
9850 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-223 |
100586 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRSOT-223 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRSOT-223 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT223 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRSOT-223 |
148 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT223 |
15320 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT-223-4 |
9555 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT223 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRSOT223 |
3230 |
05+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
留言
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IR货真价实,假一罚十 |
25000 |
SOT223 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRSOT223 |
300000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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IRSOT223 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
留言
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IRSOT-223 |
155 |
22+ |
长源创新-只做原装---假一赔十 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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IRSOT223 |
16800 |
2021+ |
全新原装正品,自家优势现货 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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IRTO-223 |
4500 |
22+ |
全新原装品牌专营 |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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INFINE0NSOT-223 |
32568 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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IR |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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IRLL3303图片
IRLL3303PBF价格
IRLL3303PBF价格：￥1.1644品牌：INTERNATIONAL
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IRLL3303资讯
IRLL3303PBF原装场效应管，N通道 SOT-223封装，大量现货热卖 IRLL3303PBF
型号：IRLL3303PBF品牌：IR类别：分离式半导体产品家庭：FET-单系列：HEXFET®FET型：MOSFETN通道，金属氧化物FET特点：逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)@25°C：4.6A开态Rds（最大）@Id,Vgs@25°C：31毫欧@4.6A，10VId时的Vgs(th)（最大）：1V@
IRLL3303中文资料Alldatasheet PDF
更多IRLL3303功能描述:MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLL3303HR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 6.5A 4PIN SOT-223 - Bulk
IRLL3303PBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 31mOhms 34nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLL3303PBF-EL制造商:International Rectifier
IRLL3303TR功能描述:MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLL3303TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 4.6A 31mOhm 34nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLL3303TRPBF-CUT TAPE制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 55 V 2.1 W 34 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOT-223-3
