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2SJ526-E	文件：90.97 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.11 Ω typ. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching 文件：90.97 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ526	文件：298.69 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor 文件：298.69 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SJ526	文件：1.58356 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.58356 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SJ526	文件：90.97 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.11 Ω typ. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching 文件：90.97 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

详细参数

型号：
2SJ526-E
制造商：
Renesas Electronics
功能描述：
Tray
制造商：
Renesas Electronics Corporation
功能描述：
Pch MOSFET,60V,12A,0.11ohm,TO-220FM
制造商：
Renesas
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Box

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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司	2SJ526-E	RENESAS	25+		700	公司现货库存	询价
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更多2SJ526-E供应商更新时间2025-12-20 16:01:00

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