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2SJ552	文件：56.44 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.042Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：56.44 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ552	文件：96 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.042 Ωtyp. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：96 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ552	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching	HITACHI 日立	HITACHI
2SJ552L	文件：255.41 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID=-20A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS=-60V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.055Ω(MAX)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：255.41 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SJ552L	文件：56.44 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.042Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：56.44 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ552L	文件：96 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.042 Ωtyp. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：96 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ552L-E	文件：96 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.042 Ωtyp. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：96 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ552S	文件：56.44 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.042Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：56.44 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ552S	文件：96 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.042 Ωtyp. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：96 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ552STL-E	文件：96 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.042 Ωtyp. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：96 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

封装类型：
LDPAK(L)/TO-262
Nch/Pch：
Pch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
-60
ID (A)：
-20
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
95
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
55
Ciss (pF) 典型值：
1750
Vgs (off) (V) 最大值：
-2
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
75
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

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更多2SJ552供应商更新时间2025-10-6 17:06:00

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