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2SJ551S	文件：55.76 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.050Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
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2SJ551(L)_15	文件：114.91 Kbytes Page：11 Pages	SiliconPChannelMOSFET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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2SJ551L-E	文件：95.41 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.050Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

技术参数

封装类型：
LDPAK(S)-(1)/TO-263
Nch/Pch：
Pch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
-60
ID (A)：
-18
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
110
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
65
Ciss (pF) 典型值：
1300
Vgs (off) (V) 最大值：
-2
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
60
应用：
Industrial
安装类型：
Surface Mount
订购条件：
Large order only

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SJ551S	HITACHI/日立	17+	263	31518	原装正品可含税交易	询价
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更多2SJ551S供应商更新时间2025-7-28 14:01:00

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