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2SJ551	文件：55.76 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.050Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：55.76 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ551	文件：95.41 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.050 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：95.41 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ551	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching	HITACHI 日立	HITACHI
2SJ551L	文件：95.41 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.050 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：95.41 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ551L	文件：55.76 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.050Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：55.76 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ551L-E	文件：95.41 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.050 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：95.41 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ551S	文件：95.41 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.050 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：95.41 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ551S	文件：55.76 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.050Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching. 文件：55.76 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ551STL-E	文件：95.41 Kbytes Page：9 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.050 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching. 文件：95.41 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ551(L)_15	文件：114.91 Kbytes Page：11 Pages	Silicon P Channel MOS FET 文件：114.91 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

封装类型：
LDPAK(L)/TO-262
Nch/Pch：
Pch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
-60
ID (A)：
-18
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
110
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
65
Ciss (pF) 典型值：
1300
Vgs (off) (V) 最大值：
-2
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
60
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SJ551	HIT	24+	TO-251	20000		询价
深圳市金芯世纪电子有限公司	2SJ551	RENESAS/瑞萨	22+	SOT263	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
深圳市旺财半导体有限公司	2SJ551	RENESAS	23+	SOT263	4000	正品原装货价格低	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	2SJ551	日立	25+	TO-TO-220	12300	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市鼎欣微电子有限公司	2SJ551	HITACHI/日立	24+	TO-252	30000	只做正品原装现货	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	2SJ551S	RENESAS	20+	TO-263	36900	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	2SJ551-90STR	HITACHI	1922+	SOT-263	35689	原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	2SJ551STR	RENESAS/瑞萨	23+	TO-263	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SJ551S	NEC	2022+	LDPAK(S)-(1)TO-263	12888	原厂代理终端免费提供样品	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	2SJ551S	RENESAS/瑞萨	23+	TO-263	32500	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价

更多2SJ551供应商更新时间2025-12-11 16:30:00

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